水素イオン注入がSiCパワー半導体の課題を解決名古屋工業大学，名古屋大学，住重アテックス

UPDATE： | 記事カテゴリー：ニュース
　名古屋工業大学，名古屋大学，住重アテックス株式会社の研究チームは，SiCパワー半導体を劣化させる結晶欠陥の拡張を水素イオンの注入により抑制することに成功したと発表した。
www.nitech.ac.jp
 
水素イオン注入がSiCパワー半導体の課題を解決 －信頼性の高い半導体の実現により...
https://www.nitech.ac.jp/news/press/2022/9889.html
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