先進パワー半導体分科会第7回研究会「次世代パワー半導体モジュール～デバイスの真価を発揮させる実装技術～」

概要

日時

2017年4月12日（水）9：55～17：00

場所

東工大大岡山キャンパス西9号館2階ディジタル多目的ホール（〒152-8550　東京都目黒区大岡山2-12-1）

プログラム

1. 基調講演「先端SiCパワーモジュール技術～低インダクタンス，低熱抵抗，高信頼性対応～」高橋良和（富士電機）
2. 基調講演「パワー半導体を支える実装技術と将来動向」今井博和（デンソー）
3. 「～次世代パワーモジュールの熱設計・劣化評価に向けて～SiCパワーデバイスに対応した過渡熱解析技術」加藤史樹（産業技術総合研究所）
4. 「～パワーモジュール性能を左右～高耐熱・低インダクタンス構造を如何に実現するか」鈴木達広（日産アーク）
5. 「パワーデバイスを活かすコンデンサの最新技術」西山茂紀（村田製作所）
6. 「PCU用リアクトルの進化～圧粉磁心による小型化と鉄損低減～」服部 毅（豊田中央研究所）
7. 「次世代パワーモジュール用新規接合材料の開発～無加圧接合用焼結Cuダイボンド材料～」江尻芳則（日立化成）
8. 「次世代パワー半導体に向けたモールド封止材料技術～高温動作，高機能化に向けて～」辻 隆行（パナソニック）
9. 「GaN/SiC時代の高耐熱シリコーン」松田 剛（信越化学工業）
10. 「SiCパワーモジュールのための高熱伝導窒化珪素回路基板」須崎純一（デンカ）

定員

200名

参加費

先進パワー半導体分科会会員：2,000円，分科会学生会員：1,000円，一般：4,000円，一般学生：1,000円（テキスト代・税込，当日支払う）

申し込み方法

下記URLより要事前登録

参加登録締切

4月1日（土）