応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第9回研究会「－進化するパワーエレクトロニクス－新時代の熱・信頼性設計/ 評価技術」

概要

日時

2017年12月22日（金）9：55～17：25（展示会9：30～16：00）

場所

大阪大学吹田キャンパス 医学部・銀杏会館 三和ホール（〒565-0871　大阪府吹田市山田丘2-1）

プログラム

1．基調講演「次世代パワーモジュールのための耐熱実装技術～焼結接合の可能性と展開～」菅沼克昭（大阪大学）
2．基調講演「プラグインHEV・電気自動車向け高出力密度インバータ技術～SiCデバイス適用見据えて～」中津欣也（日立製作所）
3．「SiCを用いた両面冷却パワーモジュール～小型/高出力化と熱/応力設計～」杉浦和彦（デンソー）
4．「パワーモジュールの放熱性・信頼性向上技術～エポキシ封止技術を中心として～」大井健史（三菱電機）
5．ポスターセッション（会場：大会議室）
6．「絶縁基板とベースプレート等基体との先進接合技術～更なる高放熱化・高耐熱化・高信頼性化を実現～」大井 宗太郎（三菱マテリアル）
7．「パワーデバイスの高耐熱化を見据えた200℃オーバー熱衝撃試験」青木雄一（エスペック）
8．「GaN・SiC時代の過渡熱抵抗測定～パワーサイクル試験への応用～」原 智章（メンター・グラフィックス・ジャパン）
9．「パワーデバイス信頼性試験の国際標準化動向～パワーサイクル試験/SiC・GaNの信頼性試験技術～」山口浩二（富士電機）

定員

200名

参加費

先進パワー半導体分科会会員：2,000円，分科会学生会員：1,000円，一般：4,000円，一般学生：1,000円（テキスト代・税込，当日支払う）

申し込み方法

下記URLより要事前登録

参加登録締切

12月20日（水）