有機EL素子内の電荷の様子をリアルタイムで測定産業技術総合研究所　研究グループ

　産業技術総合研究所の研究グループは，有機EL素子駆動時の内部の電荷の挙動を，分子レベルで非破壊計測できる新たなオペランド計測技術を開発したと発表した。
　標準的な多層積層有機EL素子では，発光層の前後に電子や正孔を運ぶための有機層がある。高機能化，省エネルギー化には，電荷を効率よく発光層まで到達させる必要があり，有機層内部や界面での電荷の生成，輸送挙動を調べることが求められる。しかし，これまでの計測方法では，複数の有機層の情報が重なったデータから個々の有機層や，電荷の状態を取り出すことは困難だった。
　今回開発した計測技術は，最先端の非線形レーザー分光法である和周波発生分光法（SFG分光法）により，有機EL素子にパルス電圧をかけた際に生成される，有機カチオン種（正電荷）と有機アニオン種（負電荷）の生成・輸送・界面での電荷再結合挙動を，数10ns スケールで計測することが可能で，発光している有機EL素子内部の分子や電荷の状態をリアルタイムで評価できる。
これにより，次世代テレビやスマートフォンなどで用いられる有機EL素子の動作機構解明や長寿命化，さらに，省エネルギー化，低コスト化のための新規材料開発や，それらを実際の素子に組み込んだ際の，実際の電荷輸送特性を分子レベルの情報から直接解き明かすことが期待される。