薄膜トランジスターを部分的なレーザー処理で高速化する技術を開発科学技術振興機構

　科学技術振興機構は，産学共同実用化開発事業の「大型フラットパネルディスプレイ向けレーザーアニール技術」の開発結果を成功と認定した。
　4K8K放送では，画素数が増加し，画素あたりの表示時間が短くなるため，一般的な大型液晶テレビで採用されているアモルファスシリコン（a−Si）膜を用いた薄膜トランジスター（TFT）素子からなるフラットパネルディスプレイ（FPD）では対応できなかった。a−Si膜よりも高性能な低温ポリシリコン（以下，ポリシリコン）膜のTFTを使えば，高精細化への対応が可能であるが，製造コストが高く，大型テレビへは適用できなかった。
　同グループは，a−Si膜のTFT素子のチャネル領域のみをレーザーアニール処理して，局所的に再結晶化することでTFT素子を高速化する技術をもとに，レーザーアニール処理されたTFTの性能をリアルタイムに測定する装置の開発など，量産する際の課題を解決して試作機に実装し，大型ガラス基板に対してその効果を実証した。
　開発成果を実装したレーザーアニール装置によるTFT素子の性能向上によって，TFT素子のスイッチ動作が高速化し，扱える電流量が増加することから，高画質対応のFPDパネルの製造が可能になることに加え，従来，FPDパネルの周辺に配置されていたゲート駆動用ドライバーICなども，回路内に作り込むことが可能になり，狭額縁化や低コスト化にもつながる。さらに，FPD製造時にTFT素子の性能がオンラインで把握できることから，品質向上や歩留まり向上にも貢献できると期待されている。