高分子電解質のシャボン玉を使ってEUV発生に成功東京工業大学　研究グループ

　東京工業大学の研究グループは，高分子電解質を界面活性剤として用いたシャボン玉を鋳型として，レーザーの低密度ターゲットとなるスズ薄膜球を作成することに成功したと発表した。使用したスズの量は，シャボン玉1個あたり4.2ナノグラムと少なく，原子数，サイズの制御性も高い。実際にレーザーを照射すると，金属スズと変わらない13.5 nmの極端紫外線（EUV）の発光を確認できた。
　高分子電解質の泡は，いわば極めて安定なシャボン玉であり，大量の製造に適している。今回開発した手法は，原理的にはスズだけでなく，他の元素にも適用できるため，レーザー式では開発が困難と考えられている6.x nmの光源や，がん治療などに用いられている炭素イオンビーム用のターゲットなどにも展開が可能である。
　近年，高強度レーザーの開発が進む一方で，レーザーの標的（ターゲット）の開発が遅れており，特に極低密度で，大量製造が可能な，安価なターゲットが求められている。本手法はこれらの条件を満たすものであり，その発展が見込まれる。