塗布で作ったトランジスタがスイッチング特性の理論限界に迫る～半導体界面構築にシャボン膜メカニズムを活用し実現～東京大学　研究グループ

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　東京大学の研究グループは，液滴を強くはじく基材表面に有機半導体結晶薄膜を塗布形成する新技術を開発し，これにより理論限界に迫る高急峻なスイッチング性能を示す塗布型薄膜トランジスタ（TFT）の開発と動作確認に成功したと発表した。
www.jst.go.jp
 
共同発表：塗布で作ったトランジスタがスイッチング特性の理論限界に迫る～半導体...
https://www.jst.go.jp/pr/announce/20201008-2/index.html
東京大学 大学院工学系研究科 物理工学専攻の北原 暁　大学院生、井上 悟　特任研究員、松岡 悟志　助教、荒井 俊人　講師、長谷川 達生　教授らの研究グループは、液滴を強くはじく基材表面に有機半導体結晶薄膜を塗布形成する新技術を開発し、これにより理論限界に迫る高急峻なスイッチング性能を示す塗布型薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の開発と動作確認に成功しました。

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