GaNとSiCを一体化したハイブリッド型トランジスタを世界で初めて動作実証産業技術総合研究所

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　産業技術総合研究所の研究チームは，ワイドバンドギャップ半導体である窒化ガリウム（GaN）を用いた高電子移動度トランジスタと炭化ケイ素（SiC）を用いたPNダイオードの両者をモノリシックに一体化した，ハイブリッド型トランジスタの作製および動作実証に成功したと発表した。
www.aist.go.jp
 
産総研：GaNとSiCを一体化したハイブリッド型トランジスタを世界で初めて動作実証
https://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2021/pr20211212/pr20211212.html

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