シリコンテクノロジー分科会第170回研究集会「半導体デバイスに対する放射線照射効果」

概要

日時

2014年3月3日（月）13:00～17:10

場所

日本大学駿河台キャンパス1号館 3F131教室
（〒101-8308 東京都千代田区神田駿河台1-8-14）

参加費

分科会員2,000円，学生2,000円，その他4,000円（テキスト代・税込）

懇親会費

3,000円程度（予定）

申し込み方法

直接会場にお越しください。

プログラム

1. 「半導体の放射線照射効果とその評価方法」大島 武（日本原子力研究開発機構）
2. 「大気圏内中性子のシリコン半導体への照射効果」伊部英史（日立）
3. 「デバイスの立体化がもたらす放射線耐性への影響」小林大輔（JAXA宇宙研）
4. 「パワーMOSFETにおけるトータルドーズ効果とシングルイベント効果」井上正範（富士電機）
5. 「X線照射効果のウェハレベル高効率測定方法の開発とMOS-SOIトランジスタへの応用」初井宇記（理化学研究所）
6. 「宇宙放射線起因SEU/SET対策としてのRHBD技術」槇原亜紀子（HIREC）