半導体SiC国際会議ICSCRM2019 オープニングイベント　チュートリアル“SiC-MOSFETs; Features and Applications”

概要

日時

2019年9月29日（日）10：30～17：00

場所

京都国際会館 Room A（〒606-0001　京都府京都市左京区宝ヶ池）

プログラム

1．「SiC MOSFETの設計とデバイス特性」Noriyuki Iwamuro（University of Tsukuba）
2．「SiC MOSFETの信頼性」Philip Mawby（University of Warwick）
3．「SiC MOSFETのパッケージ，モジュール実装」Josef Lutz（Chemnitz University of Technology）
4．「SiCデバイスの高周波駆動技術」Juan Rivas-Davila（Stanford University）
5．「SiC MOSFETの性能を最大限に引き出すマルチレベルインバータ回路」Alberto Castellazz（i University of Nottingham）
6．「SiC MOSFETを用いた回路の商用展開～挑戦から収益実現へ～」Samuel Araujo（Robert Bosch GmbH）
※9月30日（月）～10月4日（金）ICSCRM本会議

講演言語

英語

参加費

一般Web登録（オンライン）：9,000円，一般当日（オンサイト）：12,000円，学生Web登録/ 当日：5,000円　当日，受付にて支払う。

申し込み方法

チュートリアルは下記URLより申し込む。
https://annex.jsap.or.jp/limesurvey/index.php/356998/lang-ja

Web登録締め切り

9月8日（日）