応用物理学会・先進パワー半導体分科会 第18回研究会「―次世代パワーデバイスを使いこなせ！―高速デバイスを操る回路設計・周辺技術・応用」

概要

日時

2020年5月28日（木）9：55～17：20

場所

大阪大学吹田キャンパス 医学部・銀杏会館 阪急・三和ホール，会議室（〒565-0871　大阪府吹田市山田丘2-2）

プログラム

1．「開会のあいさつ」中村 孝（大阪大学）
2．「EV・HEV向けSiC Inverter用低スイッチング損失・サージ電圧抑制駆動回路技術」下村 卓（日産自動車）
3．「アクティブゲート技術による車載SiC-MOSFETの低損失化」秋山博則（デンソー）
4．「次世代電力システムを支えるパワーエレクトロクスとパワーデバイスへの期待」中島達人（東京都市大学）
5．「社会インフラシステム向けSiC適用変換器の開発」葛巻淳彦（東芝インフラシステムズ）
6．「超高速GaNパワー半導体応用におけるノイズ発生メカニズムと高速スイッチングに起因するノイズの効果的な抑制法」山本真義（名古屋大学）
7．「高パワー密度を実現するアクティブパワーデカップリング技術」伊東淳一（長岡技術科学大学）
8．「パワーサイクル試験や熱評価での働き方改革」原 智章（シーメンス）
9．「Si-CRスナバを内蔵した両面冷却SiCパワーモジュールのスイッチング評価」畑 遼太郎（村田製作所）
10．「炭化珪素アバランシェダイオードによるスイッチング時のサージ抑制」山本真幸（産総研・山梨大学）
11．【特別講演（WiPDA-Asiaコラボ）】「Design of integrated WBG power electronics」Alberto Castellazzi（京都先端科学大学）

参加費

分科会会員：2,000円，分科会学生会員：1,000円，一般：4,000円，一般学生：1,000円

申し込み方法

下記URLより申し込む。
https://annex.jsap.or.jp/limesurvey/index.php/778639/lang-ja