逆転の発想でSiCパワー半導体の高品質化に成功－非酸化による酸化膜形成で高品質化10倍－京都大学　研究グループ

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　京都大学の研究グループは，省エネの切り札と言われるSiC（シリコンカーバイド）半導体で20年以上にわたって大きな問題になっていた欠陥（半導体の不完全性）を1桁低減し，約10倍の高性能化に成功したと発表した。
京都大学
 
逆転の発想でSiCパワー半導体の高品質化に成功 －非酸化による酸化膜形成で高品質...
http://www.kyoto-u.ac.jp/ja/research/research_results/2020/200821_1.html
木本恒暢 工学研究科教授、松下雄一郎 東京工業大学特任准教授、小林拓真 同博士研究員らの研究グループは、省エネの切り札と言われるSiC（シリコンカーバイド）半導体で20年以上にわたって大きな問題になっていた欠陥（半導体の不完全性）を1桁低減し、約10倍の高性能化に成功しました。

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