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逆転の発想でSiCパワー半導体の高品質化に成功

 京都大学,東京工業大学の研究グループは,省エネの切り札と言われるSiC(シリコンカーバイド)半導体で20年以上にわたって大きな問題になっていた欠陥(半導体の不 …

金属イオン間の電子の授受で極性構造を制御

 東北大学,東京工業大学の研究グループは,特殊な電子状態に起因して極性構造を示すペロブスカイト型酸化物,バナジン酸鉛(PbVO₃)とコバルト酸ビスマス(BiCo …