青色半導体レーザで新基板開発大阪大学，DOWAホールディングス，島津製作所
-
大阪大学などのグループは、青色半導体レーザを用いたマルチビーム積層造形法による窒化アルミニウム基板への純銅皮膜形成技術の開発に成功した。
電力の制御や交流―直流変換等を行う半導体デバイスであるパワー半導体デバイスは、高電圧や大電流を高速で制御できる。パワー半導体デバイスの構成部品にセラミックス基板の両面に銅板を接合させた金属セラミックス基板がある。代表的なセラミックス基板である窒化アルミニウムは高熱伝導性を有し、一層の高信頼性・低コスト化が求められている。
従来、窒化アルミニウムと銅の接合は活性金属を含むろう材を用いたAMB法(活性金属ろう付け法)が主流だったが、青色半導体レーザ使用のマルチビーム積層造形法で、銅と窒化アルミニウムを直接接合できた。今回、低入熱かつ局所加熱が可能な新技術にて窒化アルミニウム基板に対する純銅の直接接合を達成、高信頼性化だけでなく、材料ロスや製造工数の削減につながる。
