半導体用高純度シリコンの収率の限界を突破～水素ラジカル発生・輸送装置の開発で15％以上の収率向上が期待～物質・材料研究機構（NIMS）と筑波大学　研究グループ

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　物質・材料研究機構（NIMS）と筑波大学の研究グループは，従来は25％が限界といわれていた半導体用高純度シリコンを生成するシーメンス法のSi収率を向上させることに成功したと発表した。
国立研究開発法人物質・材料研究機構 (NIMS)
半導体用高純度シリコンの収率の限界を突破 | NIMS
https://www.nims.go.jp/news/press/2020/08/202008070.html
半導体用高純度シリコンの収率の限界を突破~水素ラジカル発生・輸送装置の開発で15%以上の収率向上が期待~NIMSと筑波大学は、従来は25%が限界といわれていた半導体用高純度シリコンを生成するシーメンス法のSi収率を向上させることに成功しました。

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