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水素イオン注入がSiCパワー半導体の課題を解決

 名古屋工業大学,名古屋大学,住重アテックス株式会社の研究チームは,シリコンカーバイド(SiC)パワー半導体を劣化させる結晶欠陥の拡張を水素イオンの注入により抑 …