窒化ガリウムマイクロLEDの発光効率を低電流密度で5倍に高効率化産業技術総合研究所，東北大学，材料科学高等研究所　研究グループ

　産業技術総合研究所，東北大学，材料科学高等研究所の研究グループは，微小なGaN（窒化ガリウム）LED（マイクロLED）の高効率化技術を開発したと発表した。
　マイクロLEDを高密度に配置したマイクロLEDディスプレーは，次世代のウエアラブル情報端末のための高効率・高輝度・高解像度のディスプレーとして期待されているが，従来の作製法ではLED側面の加工損傷が大きいため，サイズが小さくなると発光効率が著しく低下することが大きな問題になっていた。今回，加工に伴う損傷が極めて少ないことが知られる中性粒子ビームエッチング技術を，GaNマイクロLEDの作製に用いることで，LEDのサイズを6 μmまで小さくしても発光効率の低下がほとんどないGaNマイクロLEDを開発した。
　今後は，フルカラーマイクロLEDディスプレーの実現に向けて，この技術を用いた緑色および赤色マイクロLEDの作製を進める予定である。