半導体用高純度シリコンの収率の限界を突破～水素ラジカル発生・輸送装置の開発で15％以上の収率向上が期待～物質・材料研究機構（NIMS）と筑波大学 研究グループ UPDATE：2020.08.11 (4年前) | 記事カテゴリー：ニュース 物質・材料研究機構（NIMS）と筑波大学の研究グループは，従来は25％が限界といわれていた半導体用高純度シリコンを生成するシーメンス法のSi収率を向上させることに成功したと発表した。 国立研究開発法人物質・材料研究機構 (NIMS)半導体用高純度シリコンの収率の限界を突破 | NIMShttps://www.nims.go.jp/news/press/2020/08/202008070.html半導体用高純度シリコンの収率の限界を突破~水素ラジカル発生・輸送装置の開発で15%以上の収率向上が期待~NIMSと筑波大学は、従来は25%が限界といわれていた半導体用高純度シリコンを生成するシーメンス法のSi収率を向上させることに成功しました。
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