二次元層状物質を使った光多値メモリの開発に成功物質・材料研究機構 UPDATE：2020.08.26 (4年前) | 記事カテゴリー：ニュース 物質・材料研究機構は，光と電圧の二つの入力値で複数の値を記録できる多値メモリ素子を開発した。特に二次元層状物質の積層構造の中に，蓄積する電荷量を光で調整することにより成功したと発表した。 国立研究開発法人物質・材料研究機構 (NIMS) 1 Pocket二次元層状物質を使った光多値メモリの開発に成功 | NIMShttps://www.nims.go.jp/news/press/2020/08/202008250.html二次元層状物質を使った光多値メモリの開発に成功NIMSは、光と電圧の二つの入力値で複数の値を記録できる多値メモリ素子を開発しました。本成果は、記録容量の大幅な向上に寄与するだけでなく、光と電子を繋いださまざまな素子に発展することが期待されます。
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