高電流増幅率・低オン抵抗シリコンSJ-BJTパワーデバイスを開発新日本無線(株)，山梨大学　研究グループ

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　新日本無線(株)，山梨大学の研究グループは，コレクタ領域をスーパージャンクション（SJ）構造とするシリコンバイポーラトランジスタの開発に成功したと発表した。
www.yamanashi.ac.jp
https://www.yamanashi.ac.jp/wp-content/uploads/2020/08/20200828pr.pdf
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