逆転の発想でSiCパワー半導体の高品質化に成功京都大学，東京工業大学 研究グループ
東京工業大学
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逆転の発想でSiCパワー半導体の高品質化に成功 非酸化による酸化膜形成で高品質化10倍
概要 京都大学大学院工学研究科の木本恒暢教授、東京工業大学科学技術創成研究院フロンティア材料研究所の松下雄一郎特任准教授（物質・情報卓越教育院）、小林拓真博士研究員らのグループは、省エネの切り札と言われるSiC（シリコンカーバイド）半導体で20年以上にわたって大きな問題になっていた欠陥（半導体の不完全性）を一桁低減し、約10倍の高性能化に成功しました。 Si（シリコン）を中心とした半導体は、計算機...
