帯域100 GHzを超える直接変調レーザを開発

UPDATE：2020.10.23 (4年前) | 記事カテゴリー：ニュース

日本電信電話株式会社，東京工業大学の研究グループは，高熱伝導率を持つSiC基板上にインジウムリン系化合物半導体を用いたメンブレンレーザーを開発したと発表した。直接変調レーザとして3 dB帯域が100 GHzを超え，毎秒256ギガビット（2,560億ビット）の信号を2 km伝送できることを確認した。

東京工業大学

世界最高速の帯域100 GHzを超える直接変調レーザを開発 SiC基板上メンブレンレーザ...

~~https://www.titech.ac.jp/news/2020/048140.html~~

概要日本電信電話株式会社（以下 NTT）は、東京工業大学（以下東工大）科学技術創成研究院未来産業技術研究所の小山二三夫教授と共同で、高熱伝導率を持つSiC基板上にインジウムリン系化合物半導体を用いたメンブレンレーザを開発しました。直接変調レーザとして世界で初めて3dB帯域が100 GHzを超え、毎秒256ギガビット（2,560億ビット）の信号を2 km...