半導体デバイスの動作中に内部構造の可視化に成功 ～半導体を評価する新しい手法の提案～高エネルギー加速器研究機構
-
高エネルギー加速器研究機構 物質構造科学研究所に設置されているフェムト秒パルスレーザーを光源とする光電子顕微鏡装置（フェムト秒光電子顕微鏡）を用いて、半導体デバイスの動作下において、ｐｎ接合界面に形成され、電流の制御に重要な役割を担う空乏層の形状のイメージングに成功した。この手法は、半導体デバイスの性能を評価しながら、その内部の様子が可視化できる新たな手法として、ダイオード、トランジスタ、太陽電池、ＬＥＤなど様々な半導体デバイスへの利用が期待される。
